今天，長鑫存儲官方正式上線DRAM產(chǎn)品，包括8Gb DDR4芯片、8GB DDR4內(nèi)存條、2GB/4GB LPDDR4X產(chǎn)品，均符合國際通行標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范，相較于上一代DDR3芯片，擁有更快的數(shù)據(jù)傳輸速率，更穩(wěn)定的性能和更低的功耗，將廣泛用于目前主流市場，包括電腦、臺式PC、手機、平板、電視、人工智能等消費類電子產(chǎn)品。      長鑫存儲提供單顆容量8Gb(1GB)，頻率2666MHz，電壓1.2V，工作溫度0℃至95℃，78ball、96ball FBGA兩種封裝樣式。長鑫特別這是第一顆國產(chǎn)的DDR4內(nèi)存芯片。DDR4內(nèi)存條是長鑫自主開發(fā)設(shè)計，搭載原廠顆粒，種類齊全，提供UDIMM桌面型、SO-DIMM筆記本型，容量均為單條8GB，頻率2666MHz，電壓1.2V，工作溫度0℃至95℃
       LPDDR4X內(nèi)存芯片號稱匹配主流需求，兼?zhèn)涓咚俣扰c低功耗，可提供超高續(xù)航能力、超低功耗設(shè)計、穩(wěn)定流暢體驗，規(guī)格方面單顆容量2GB、4GB，頻率3733MHz，電壓1.8V、1.1V、0.6V，工作溫度-30℃至85℃，200ball FBGA封裝。

    長鑫存儲從Polaris獲得大量DRAM技術(shù)專利的實施許可，這些專利來自Polaris 2015年6月從奇夢達母公司英飛凌購得的專利組合。

   長鑫存儲2016年5月在安徽合肥啟動，總投資1500億元，專業(yè)從事DRAM內(nèi)存的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座300毫米晶圓廠并投產(chǎn)，并通過專用研發(fā)線快速迭代研發(fā)，結(jié)合當(dāng)前先進設(shè)備大幅度改進工藝，開發(fā)出了獨有的技術(shù)體系。